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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFD024PBF - 场效应管 MOSFET N DIL - IRFD024PBF
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IRFD024PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFD024PBF
制造商型号: IRFD024PBF
制造商: VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
描述: 场效应管 MOSFET N DIL
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N DIL
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 2.5A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS(上): 100mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 1.3W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: DIP
  • 针脚数: 4
  • MSL: (Not Applicable)
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 1.3W
  • 功耗, Pd: 1.3W
  • 封装/箱盒: DIP
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 引脚节距: 2.54mm
  • 排距: 7.62mm
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 2.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 60V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 19A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
产地: PH Philippines

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFD024PBF
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