VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFD014PBF - 场效应管 MOSFET N DIL - IRFD014PBF
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
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IRFD014PBF
制造商型号:
IRFD014PBF
制造商:
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET N DIL
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N DIL
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 1.7A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 200mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 1.3W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: DIP
针脚数: 4
MSL: (不适用)
功耗, Pd: 1.3W
功耗, Pd: 1.3W
封装/箱盒: DIP
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
引脚节距: 2.54mm
排距: 7.62mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 1.7A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 60V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 14A
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
产地: PH Philippines
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
IRFD014PBF
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www.szcwdz.com.cn
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型号: IRFD014PBF 品牌: VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET N DIL
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