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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFBF20SPBF - 场效应管 MOSFET N D2-PAK 900V 1.7A - IRFBF20SPBF
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IRFBF20SPBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFBF20SPBF
制造商型号： IRFBF20SPBF
制造商： VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N D2-PAK 900V 1.7A
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N D2-PAK 900V 1.7A
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1.7A
  • 漏源电压, Vds: 900V
  • 在电阻RDS（上）: 8ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 54W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • SMD标号: IRFBF20S
  • 上升时间: 21ns
  • 下降时间: 32ns
  • 功耗(于1平方英寸PCB): 3.1W
  • 功耗, Pd: 54W
  • 功耗, Pd: 54W
  • 单脉冲???崩能量 Eas: 180mJ
  • 外宽: 10.16mm
  • 外部深度: 15.49mm
  • 外部长度/高度: 4.69mm
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 封装类型, 其它: D2-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, trr 典型值: 350ns
  • 晶体管数: 1
  • 最大重复雪崩能量 Ear: 5.4mJ
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 38nC
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 1.7A
  • 热阻, 结点至外壳A: 3.1°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds: 900V
  • 电压, Vds 典型值: 900V
  • 电压, Vgs Rds N沟道: 10V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电容值, Ciss 典型值: 490pF
  • 电流, Idm 脉冲: 6.8A
  • 电流, Idss 最大: 100μA
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安产地： MY Malaysia

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