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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRFBE30PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 800V 4.1A - IRFBE30PBF
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IRFBE30PBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRFBE30PBF
制造商型号： IRFBE30PBF
制造商： VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N TO-220 800V 4.1A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N TO-220 800V 4.1A
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 4.1A
  • 漏源电压, Vds: 800V
  • 在电阻RDS（上）: 3ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 125W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-220AB
  • 针脚数: 3
  • MSL: (不适用)
  • 功耗, Pd: 125W
  • 功耗, Pd: 125W
  • 封装/箱盒: TO-220AB
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 引脚节距: 2.54mm
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 4.1A
  • 热阻, 结点至外壳A: 2°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 800V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 16A
  • 表面安装器件: 通孔
产地： MX Mexico

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFBE30PBF
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