PDF查询| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 5 V（P 通道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 1520 pF @ 10 V（P 通道）、93 pF @ 3 V（N 通道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 封装类型 | PS | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.8mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功率耗散 | 1.96（P 通道）W | |
| 最大栅源电压 | ±10（N 通道）V、±8（P 通道）V | |
| 最大漏源电压 | 12（P 通道）V、20（N 通道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.038（P 通道）Ω、3（N 通道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 0.1（N 通道）A、5.5（P 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.8mm |
