PDF查询| 数据列表 | TPCC8006-H Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | 8-VDFN |
| 产品目录绘图 | 8TSON Top 8TSON Side |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 22A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2200pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 27W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-TSON |
| 产品目录页面 | 1655 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | TPCC8006-H(TE12LQMTR TPCC8006HTE12LQM |
