PDF查询| 典型栅极电荷@Vgs | 27 nC @ 10 V（N 沟道），40 nC @ 10 V（P 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 1240 pF @ 10 V（N 沟道），1540 pF @ 10 V（P 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 封装类型 | SOP | |
| 尺寸 | 5 x 4.4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.026（N 通道）Ω，0.033（P 通道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 4.5（P 通道）A，6（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
