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| TPC8126,LQ(CM [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| TPC8126,LQ(CM [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET N-Ch -30V FET 2400pF -11A 1.9W RoHS: Compliant | 搜索 |
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| TPC8126,LQ(CM [更多] | Toshiba America Electronic Components | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOP - Tape and Reel (Alt: TPC8126,LQ(CM) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| TPC8126,LQ | Toshiba | MOSFET，P沟道，30V，11A，SOIC8P | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | TPC8126 LQ(CM Toshiba | MOSFET N-Ch -30V FET 2400pF -11A 1.9W 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| TPC8126,LQ Toshiba | MOSFET，P沟道，30V，11A，SOIC8P 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP 详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0） 型号：TPC8126,LQ(CM 仓库库存编号：TPC8126LQ(CM-ND 别名：TPC8126LQ(CM TPC8126LQCM | |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 200 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 56 nC V @ -10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2400 pF V @ -10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 封装类型 | 2-6J1B | |
| 尺寸 | 5.5 x 4.4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大功率耗散 | 1.9 W | |
| 最大栅源电压 | +20 V，-25 V | |
| 最大漏源电压 | -30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -11 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 锂离子电池，电源管理开关 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单门、三源 | |
| 长度 | 5.5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
