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Toshiba - TPC8118(TE12L,Q - 分立,功率MOSFET,TPC8118(TE12L,沟道,Vdss=-30V,Id=-13A,SOP-8 - TPC8118TE12LQ
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TPC8118(TE12L,Q
制造商型号： TPC8118(TE12L,Q
制造商： Toshiba
描述： 分立,功率MOSFET,TPC8118(TE12L,沟道,Vdss=-30V,Id=-13A,SOP-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs56 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2700 pF V @ 10
安装类型表面贴装
引脚数目8
最低工作温度-55°C
最大功率耗散1900 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.007 Ω
最大连续漏极电流13 A
最高工作温度+150°C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单、三源
高度1.5mm

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