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| TPC8031-H(TE12LQM) [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 11A RoHS: Compliant | 搜索 |
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| TPC8031-H(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 8-SOP（5.5x6.0） 型号：TPC8031-H(TE12LQM) 仓库库存编号：TPC8031-H(TE12LQM)-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 13.3 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2150pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
