数据列表 | TK8A50D |
---|---|
产品相片 | TK6A60W,S4VX |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 850 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 800pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 40W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
其它名称 | TK8A50D(STA4QM) TK8A50DSTA4QM |