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Toshiba - TK55D10J1(Q) - MOSFET N-CH 100V 55A TO220W - TK55D10J1Q
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TK55D10J1(Q)|Toshiba
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TK55D10J1(Q)
制造商型号: TK55D10J1(Q)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 TK55D10J1
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)55A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)10.5 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5700pF @ 10V
功率 - 最大值140W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220(W)

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