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| TK31E60W,S1VX [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| TK31E60W,S1VX [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| TK31E60W,S1VX(S) [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFETs
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| TK31E60W,S1VX [更多] | Toshiba America Electronic Components | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSIST
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| TK31E60W,S1VX [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
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| TK31E60W,S1VX | Toshiba | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220 型号：TK31E60W,S1VX 仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND 别名：TK31E60W,S1VX(S TK31E60WS1VX | 无铅 |
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| 制造商零件编号： TK31E60W,S1VX(S 品牌： Toshiba 库存编号： 891-2958 | 查看其他仓库 | ||
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 | TK31E60W S1VX Toshiba | MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | TK31E60W |
|---|---|
| 特色产品 | DTMOSIV Superjunction MOSFETs |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 超级结 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30.8A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 88 毫欧 @ 15.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.5mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3000pF @ 300V |
| 功率 - 最大值 | 230W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | TK31E60WS1VX |
