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TK10A60W,S4VX [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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数据列表 | TK10A60W |
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产品相片 | TK6A60W,S4VX |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 超级结 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9.7A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 380 毫欧 @ 4.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 500µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 700pF @ 300V |
功率 - 最大值 | 30W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
其它名称 | TK10A60WS4VX |