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Toshiba - TK100E08N1,S1X - MOSFET N CH 80V 214A TO220 - TK100E08N1S1X
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TK100E08N1,S1X
制造商型号: TK100E08N1,S1X
制造商: Toshiba
描述: MOSFET N CH 80V 214A TO220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 TK100E08N1
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9000pF @ 40V
功率 - 最大值255W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220-3
其它名称TK100E08N1S1X

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