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| SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba | MOSFET DUAL N-CH 60V .2A US6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 300mW Surface Mount US6 型号：SSM6N7002BFU(T5L,F 仓库库存编号：SSM6N7002BFU(T5LFCT-ND 别名：SSM6N7002BFU(T5LFCT <br>SSM6N7002BFULF(TCT <br>SSM6N7002BFULF(TCT-ND <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | SSM6N7002BFU Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | US6-SSM6N |
| 产品培训模块 | Small Signal MOSFET |
| 产品目录绘图 | US6 Bottom US6 Side |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 200mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.1 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 17pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 产品目录页面 | 1655 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SSM6N7002BFU(T5LFTR SSM6N7002BFULF(TTR SSM6N7002BFULF(TTR-ND SSM6N7002BFUT5LF |
