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RN2112MFV(TPL3) [更多] | Toshiba America Electronic Components | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 22Kohms RoHS: Compliant | 搜索 |
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RN2112MFV(TPL3) [更多] | Toshiba America Electronic Components | X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF) - Tape and Reel (Alt: RN2112MFV(TPL3)) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
RN2112MFV(TPL3) | Toshiba | TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-723 | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | RN21(12,13)MFV |
---|---|
标准包装 | 8,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 22k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-723 |
供应商器件封装 | VESM(1.2x1.2) |