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Toshiba - HN7G09FE(TE85L,F) - 两极晶体管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA - HN7G09FETE85LF
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HN7G09FE(TE85L,F)
制造商型号： HN7G09FE(TE85L,F)
制造商： Toshiba
描述： 两极晶体管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
制造商:Toshiba
产品种类:两极晶体管 - BJT
RoHS: 符合
配置:Dual
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压 VCBO:50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
发射极 - 基极电压 VEBO:10 V
增益带宽产品fT:250 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:80
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:ES-6
集电极连续电流:100 mA
最大功率耗散:100 mW
封装:Reel
工厂包装数量:4000

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