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Toshiba - HN4B01JE(TE85L,F) - 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V - HN4B01JETE85LF
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HN4B01JE(TE85L,F)|Toshiba
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HN4B01JE(TE85L,F)
制造商型号： HN4B01JE(TE85L,F)
制造商： Toshiba
描述： 两极晶体管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Toshiba
产品种类:两极晶体管 - BJT
RoHS: 符合
配置:Dual
晶体管极性:NPN/PNP
集电极—基极电压 VCBO:60 V @ NPN or 50 V @ PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
最大直流电集电极电流:0.15 A
增益带宽产品fT:80 MHz (Min)
直流集电极/Base Gain hfe Min:120 at 2 mA at 6 V
最大工作温度:+ 150 C
最大功率耗散:100 mW
封装:Reel
工厂包装数量:4000

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