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Toshiba - GT60N322(Q - Semi, Discrete, IGBT, TOSH, TO3P, 57A, 1000V - GT60N322Q
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GT60N322(Q
制造商型号： GT60N322(Q
制造商： Toshiba
描述： Semi, Discrete, IGBT, TOSH, TO3P, 57A, 1000V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
安装类型通孔
宽度5.2mm
封装类型TO-3PLH
尺寸20.5 x 5.2 x 26mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大栅极发射极电压±25V
最大连续集电极电流57 A
最大集电极-发射极电压1000 V
最高工作温度+150 °C
通道类型N
配置单
长度20.5mm
高度26mm

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