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Toshiba - GT50J301(Q) - IGBT 晶体管 600V/150A DIS+FRD - GT50J301Q
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GT50J301(Q)|Toshiba
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
GT50J301(Q)
制造商型号: GT50J301(Q)
制造商: Toshiba
描述: IGBT 晶体管 600V/150A DIS+FRD
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:Toshiba
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:TO-3P
封装:Bulk
集电极最大连续电流 Ic:50 A
最小工作温度:- 55 C
安装风格:Through Hole
工厂包装数量:100

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