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Toshiba - GT40QR21(STA1,E - 晶体管，IGBT，N沟道，1.2kV，40A，TO-3P(N) - GT40QR21STA1E
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GT40QR21(STA1,E
制造商型号： GT40QR21(STA1,E
制造商： Toshiba
描述： 晶体管，IGBT，N沟道，1.2kV，40A，TO-3P(N)
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
安装类型通孔
宽度15.5mm
封装类型2-16C1S
尺寸20 x 15.5 x 4.5mm
开关速度0.2μs
引脚数目3
最大功率耗散230 W
最大栅极发射极电压±25V
最大连续集电极电流40 A
最大集电极-发射极电压1200 V
最高工作温度+175 °C
通道类型N
配置单
长度20mm
高度4.5mm

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