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Toshiba - GT10J303(Q - 晶体管，IGBT，N沟道，600V，10A，TO220NIS - GT10J303Q
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GT10J303(Q
制造商型号： GT10J303(Q
制造商： Toshiba
描述： 晶体管，IGBT，N沟道，600V，10A，TO220NIS
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
安装类型通孔
宽度4.5mm
封装类型TO-220NIS
尺寸10 x 4.5 x 8.1mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大栅极发射极电压±20V
最大连续集电极电流10 A
最大集电极-发射极电压600 V
最高工作温度+150 °C
通道类型N
配置单
长度10mm
高度8.1mm

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