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Toshiba - 3SK291(TE85L,F - 射频 MOSFET，N沟道，12.5V，0.03A，UHF，SMQ4 - 3SK291TE85LF
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3SK291(TE85L,F
制造商型号： 3SK291(TE85L,F
制造商： Toshiba
描述： 射频 MOSFET，N沟道，12.5V，0.03A，UHF，SMQ4
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型功率增益22.5 dB
典型输入电容值@Vds2.6 pF V @ 6
安装类型表面贴装
宽度1.5mm
封装类型2-3J1A
尺寸2.9 x 1.50 x 1.1mm
引脚数目4
最大功率耗散0.15 W
最大栅源电压±8 V
最大漏源电压12.5 V
最大连续漏极电流0.03 A
最高工作温度+125 °C
每片芯片元件数目1
类别射频放大器、电视调谐器、UHF
通道模式消耗
通道类型N
配置双门、单
长度2.9mm
高度1.1mm

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