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| 2SK3767(Q,M) [更多] | Toshiba America Electronic Components | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET WARP-TO-200SIS MOQ=50 V=600V F=1MHZ RoHS: Compliant | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | 2SK3767 Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 产品目录绘图 | TO-220SIS Side 3 TO-220SIS Side 2 TO-220SIS Side 1 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.5 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 320pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 25W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 产品目录页面 | 1654 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 2SK3767(Q) 2SK3767Q |
