型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
2SK3074(TE12L,F | Toshiba | 射频 MOSFET,N沟道,30V,1A,SOT89 | 查看库存、价格及货期 |
典型功率增益 | 14.9 dB | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 2.5mm | |
封装类型 | PWMini | |
尺寸 | 4.6 x 2.5 x 1.6mm | |
引脚数目 | 3 | |
最大功率耗散 | 3 W | |
最大栅源电压 | 25 V | |
最大漏源电压 | 30 V | |
最大连续漏极电流 | 1 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 射频 MOSFET | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 4.6mm | |
高度 | 1.6mm |