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Toshiba - 2SK3074(TE12L,F - 射频 MOSFET，N沟道，30V，1A，SOT89 - 2SK3074TE12LF
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2SK3074(TE12L,F
制造商型号： 2SK3074(TE12L,F
制造商： Toshiba
描述： 射频 MOSFET，N沟道，30V，1A，SOT89
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
典型功率增益14.9 dB
安装类型表面贴装
宽度2.5mm
封装类型PWMini
尺寸4.6 x 2.5 x 1.6mm
引脚数目3
最大功率耗散3 W
最大栅源电压25 V
最大漏源电压30 V
最大连续漏极电流1 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别射频 MOSFET
通道类型N
配置单
长度4.6mm
高度1.6mm

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