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TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1NQ) - 场效应管 MOSFET P沟道 5A 60V DPAK - 2SJ668TE16L1NQ
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2SJ668(TE16L1NQ)|TOSHIBA
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2SJ668(TE16L1NQ)
制造商型号： 2SJ668(TE16L1NQ)
制造商： TOSHIBA
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 5A 60V DPAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 5A 60V DPAK
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 5A
  • 漏源电压, Vds: -60V
  • 在电阻RDS（上）: 170mohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 20W
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • 封装/箱盒: PW-MOLD
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: -5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 60V
  • 电压, Vgs 最高: -20V
  • 表面安装器件: SMD

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