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Toshiba - 2SJ201-Y(F - MOSFET，P沟道，200V/12A，0.625ohm，TO-3P(L) - 2SJ201YF
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2SJ201-Y(F
制造商型号： 2SJ201-Y(F
制造商： Toshiba
描述： MOSFET，P沟道，200V/12A，0.625ohm，TO-3P(L)
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
典型输入电容值@Vds1500 pF V @ 30
安装类型通孔
宽度5.2mm
封装类型TO-3PL
尺寸20.5 x 5.2 x 26mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散150000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压200 V
最大连续漏极电流12 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置单
长度20.5mm
高度26mm

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