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Toshiba - 1ZB36(Q - Semi, Discrete, Zener diode, 1W, 36V - 1ZB36Q
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1ZB36(Q
制造商型号： 1ZB36(Q
制造商： Toshiba
描述： Semi, Discrete, Zener diode, 1W, 36V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
Typical Voltage Temperature Coefficient28mV/°C
安装类型通孔
封装类型3-3F2A
尺寸2.5 Dia x 3mm
引脚数目2
最低工作温度-40 °C
最大功率耗散1 W
最大反向漏电流10μA
最大齐纳阻抗30Ω
最高工作温度+150 °C
测试电流9mA
直径2.5mm
配置单
长度3mm
额定齐纳电压36V
齐纳电压容差±10%
齐纳类型瞬态抑制器，稳压器

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