型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
TPS1100DR 库存编号:2156-TPS1100DR-ND | Rochester Electronics LLC | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC | 564 305起订 | 305+ | ¥12.21 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
TPS1100DR 库存编号:296-TPS1100DRTR-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC | 0 2500起订 | 2500+ 5000+ | ¥9.02 ¥8.71 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
TPS1100DR 库存编号:296-TPS1100DRDKR-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC | 0 1起订 | 1+ | ¥22.43 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
TPS1100DR 库存编号:296-TPS1100DRCT-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC | 0 1起订 | 1+ | ¥22.43 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
TPS1100D 库存编号:595-TPS1100D | Texas Instruments | MOSFETs MOSFET 10ns RT A 595-TPS1100DR | 2753 1起订 | 1+ 10+ 75+ 300+ 525+ 5025+ | ¥23.29 ¥11.5 ¥10.59 ¥10.52 ¥10.3 ¥9.91 | 6-10天 | 购买 |
TPS1100DR 库存编号:595-TPS1100DR | Texas Instruments | MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS1100D | 0 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2500+ 5000+ | ¥23.64 ¥16.31 ¥13 ¥10.9 ¥9.34 ¥8.87 ¥8.57 | 6-10天 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
TPS1100DR 库存编号:86292005 | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH Si 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R | 564 317起订 | 317+ | ¥15.88 | 1-2周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
TPS1100DG4 [更多] | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
TPS1100DG4 [更多] | Texas Instruments | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
TPS1100DG4 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube - Rail/Tube (Alt: TPS1100DG4) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
TPS1100DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | TPS1100DG4 Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | TPS1100DG4 Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | TPS1100DG4 Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC 型号:TPS1100DG4 仓库库存编号:TPS1100DG4-ND | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | TPS1100, TPS1100Y |
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产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 15V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1.6A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 180 毫欧 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.45nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 791mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |