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| CSD23201W10 [更多] | Texas Instruments | MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs RoHS: Compliant | 搜索 |
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| CSD23201W10 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin WLCSP T/R (Alt: CSD23201W10) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| CSD23201W10 [更多] | Texas Instruments | 2200 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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| CSD23201W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.2A（Tc） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1） 型号：CSD23201W10 仓库库存编号：296-24258-1-ND 别名：296-24258-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | CSD23201W10 |
|---|---|
| 产品相片 | 4-DSBGA-YZB |
| 产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
| 视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 82 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 325pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
| 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 产品目录页面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 296-24258-2 |
