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CSD18533Q5A![]() | 2501101 | TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0047 ohm, 10 V, 1.9 V ![]() | 搜索 |
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![]() | Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta),116W(Tc) 8-VSON(5x6) 型号:CSD18533Q5AT 仓库库存编号:296-41959-1-ND 别名:296-41959-1 <br> | 含铅 | 搜索 |
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数据列表 | CSD18533Q5A |
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标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 17A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.9 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2750pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 3.2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-35027-2 CSD18533Q5A-ND |