PDF查询| 数据列表 | CSD17311Q5 |
|---|---|
| 产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
| 视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 设计资源 | Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 32A （Ta）， 100A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2 毫欧 @ 30A，8V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 31nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4280pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-27625-2 |
