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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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![]() | Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6) 型号:CSD16325Q5C 仓库库存编号:296-25645-1-ND 别名:296-25645-1 <br> | 含铅 | 搜索 |
![]() | Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6) 型号:CSD16325Q5 仓库库存编号:296-24964-1-ND 别名:296-24964-1 <br> | 含铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
CSD16325Q5![]() | 2118922 | TEXAS INSTRUMENTS 场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 100A ![]() | 搜索 |
CSD16325Q5C![]() | 1791478 | TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 1.5 mohm, 8 V, 1.1 V ![]() | 搜索 |
数据列表 | CSD16325Q5 |
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产品相片 | CSD1632x Series 8-SON |
产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
设计资源 | Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 33A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2 毫欧 @ 30A,8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4000pF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | 8-SON |
产品目录页面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 296-24964-2 |