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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1N60CP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK - TSM1N60CP
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TSM1N60CP|TAIWAN SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
TSM1N60CP
制造商型号： TSM1N60CP
制造商： TAIWAN SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS（上）: 8ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 50W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 外宽: 6.8mm
  • 外部深度: 10.5mm
  • 外部长度/高度: 2.55mm
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 封装类型, 其它: TO-252
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, trr 典型值: 21ns
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 1A
  • 用途代码: GPSW
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 600V
  • 电压, Vgs 最高: 30V
  • 电流, Idm 脉冲: 9A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻最大值: 8ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地： CN China

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