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数据列表 | HCT7000M(TX,TXV) |
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标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 散装 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 200mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 60pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3.18mm x 2.67mm x 1.37mm |
供应商器件封装 | - |