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STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D - 场效应管 MOSFET 智能开关 SO-8 - VNS1NV04D
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VNS1NV04D|STMICROELECTRONICS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
VNS1NV04D
制造商型号： VNS1NV04D
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET 智能开关 SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET 智能开关 SO-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1.7A
  • 漏源电压, Vds: 55V
  • 在电阻RDS（上）: 250mohm
  • 电压 @ Rds测量: 25V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.5V
  • 功耗, Pd: 4W
  • 封装类型: SOIC
  • 针脚数: 8
  • MSL: MSL 3 - 168小时
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOIC
  • 总功率, Ptot: 4W
  • 模块配置: 双
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 5V
  • 电压, Vcc 最大: 45V
  • 电压, Vds 典型值: 45V
  • 电流极限: 1.7A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.25ohm
  • 钳位电压: 45V
产地： MA Morocco

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: VNS1NV04D
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