| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STW21NM60ND 库存编号:STW21NM60ND | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, FDmesh? II, unipolar, 600V, 10A, 140W, TO247 | 0 1起订 | 1+ 3+ 10+ 30+ | ￥53.46 ￥48.32 ￥42.74 ￥38.31 | 1-3周 | 询价 |
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| STW21NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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STW21NM60ND | 2098381 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3 型号：STW21NM60ND 仓库库存编号：497-8453-5-ND 别名：497-8453-5 <br> | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STW21NM60ND 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0294 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | STX21NM60ND |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 其它有关文件 | STW21NM60ND View All Specifications |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | FDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 17A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 220 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1800pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 140W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8453-5 |
