型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STU7NM60N 库存编号:511-STU7NM60N | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh | 1972 1起订 | 1+ 10+ 100+ 250+ 500+ 1000+ 3000+ 9000+ | ¥30.14 ¥12.53 ¥11.78 ¥11.76 ¥11.04 ¥10.72 ¥10.45 ¥10.44 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STU7NM60N 库存编号:STU7NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: STU7NM60N) | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ 12000+ 18000+ 24000+ | ¥11.53 ¥11.45 ¥11.24 ¥11.04 ¥10.84 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STU7NM60 | STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,600V,5A,IPAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STU7NM60N![]() | 2098365 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V ![]() | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 5A IPAK 详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 45W(Tc) I-Pak 型号:STU7NM60N 仓库库存编号:497-12367-ND 别名:497-12367 <br> | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: STU7NM60N 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 761-0247 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 26 ns | |
典型接通延迟时间 | 7 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 14 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 363 pF V @ 50 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 2.4mm | |
封装类型 | TO-251 | |
尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.9mm | |
引脚数目 | 3 | |
最大功率耗散 | 45 W | |
最大栅源电压 | ±25 V | |
最大漏源电压 | 600 V | |
最大漏源电阻值 | 0.9 Ω | |
最大连续漏极电流 | 5 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 6.6mm | |
高度 | 6.9mm |