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STMicroelectronics - STS7PF30 - MOSFET,P沟道,30V,7A,SOIC8 - STS7PF30
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MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

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MOSFET P-Ch 30 Volt 7 Amp

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Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SO N T/R (Alt: STS7PF30L)

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Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SO N T/R

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Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SO N T/R

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STMicroelectronics - STS7PF30L - MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO

型号:STS7PF30L
仓库库存编号:497-3233-1-ND
别名:497-3233-1 <br>
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STS7PF30
制造商型号: STS7PF30
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,P沟道,30V,7A,SOIC8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间65 ns
典型接通延迟时间68 ns
典型栅极电荷@Vgs28 常闭 V @ 4.5
典型输入电容值@Vds2600 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SO
尺寸5 x 4 x 1.25mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2.5 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.021 Ω
最大连续漏极电流7 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置四漏极、单、三源
长度5mm
高度1.25mm

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