| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STS6PF30 | STMicroelectronics | MOSFET，P沟道，30V，6A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO 型号：STS6PF30L 仓库库存编号：STS6PF30L-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | STS6PF30 STMicroelectronics | MOSFET，P沟道，30V，6A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 57 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 62 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1670 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SO | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.25mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.03 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.25mm |
