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STS26N3LLH6 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30V 0.0039 Ohm 26A STripFET VI DG RoHS: Compliant | 搜索 |
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STS26N3LLH6 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N-CH, 30V, 26A, 8-SOIC
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 2.7W(Ta) 8-SO 型号:STS26N3LLH6 仓库库存编号:497-12348-1-ND 别名:497-12348-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
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STS26N3LLH6![]() | 2344096 | STMICROELECTRONICS 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1 V ![]() | 搜索 |
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数据列表 | STS26N3LLH6 |
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产品相片 | 8-SOIC |
其它有关文件 | STS26N3LLH6 View All Specifications |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | STripFET™ VI, DeepGATE™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 26A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4.4 毫欧 @ 13A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 40nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4040pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.7W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 497-12348-2 |