PDF查询| 数据列表 | STS19N3LLH6 |
|---|---|
| 产品相片 | 8 SOIC 8-SOIC |
| 其它有关文件 | STS19N3LLH6 View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ DeepGATE™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.6 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 15V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-12677-2 STS19N3LLH6-ND |
