PDF查询| 数据列表 | STS01DTP06 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 700mV @ 100mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 产品目录页面 | 1547 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-4518-2 STS01DTP06T STS01DTP06T4 |
