PDF查询| 数据列表 | STx1(H)NK60(-1,R) |
|---|---|
| 其它有关文件 | STQ1HNK60R View All Specifications |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SuperMESH™ |
| 包装 | 带盒（TB） |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 400mA （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 156pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
