| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STP8NK80Z [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: STP8NK80Z) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STP8NK80ZFP [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| STP8NK80ZFP [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STP8NK80ZFP [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N, TO-220FP
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STP8NK80Z [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 800 V 1.5 Ohm, Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| STP8NK80ZFP [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 800 V 1.5 O SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| STP8NK80ZFP [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 800 V 1.5 O SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STP8NK80 | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，800V，6.2A，TO220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB 型号：STP8NK80Z 仓库库存编号：497-15685-5-ND 别名：497-15685-5 STP8NK80Z-ND | 无铅 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP 详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP 型号：STP8NK80ZFP 仓库库存编号：497-5982-5-ND 别名：497-5982-5 | 无铅 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STP8NK80ZFP | 1291990 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V  (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： STP8NK80Z 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0196 | 查看其他仓库 | ||
| 制造商零件编号： STP8NK80ZFP 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0190 | 搜索 |
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 | STP8NK80 STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，800V，6.2A，TO220 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 48 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 46 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1320 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 140 W | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 6.2 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 15.75mm |
