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STMicroelectronics

N-Channel 60 V 18 mOhm STripFET? II Power MosFet - TO-220

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N-Channel 60 V 18 mO STripFET? II Power MosFet - TO-220FP

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 95 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 35A, 110W, TO220-3

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 35A, 30W, TO220FP

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50 A, 60 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP55NF06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP55NF06
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
485-7715

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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP55NF06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP55NF06
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
920-8789

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STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STP55NF06L, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

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品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
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品牌：
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品牌：
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP55NF06FP, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
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STP55NF0
制造商型号： STP55NF0
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，60V，50A，TO220
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订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com

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产品信息

	典型关断延迟时间	36 ns
	典型接通延迟时间	20 ns
	典型栅极电荷@Vgs	44.5 nC V @ 10
	典型输入电容值@Vds	1300 pF V @ 25
	安装类型	通孔
	宽度	4.6mm
	封装类型	TO-220
	尺寸	10.4 x 4.6 x 9.15mm
	引脚数目	3
	最低工作温度	-55 °C
	最大功率耗散	110 W
	最大栅源电压	±20 V
	最大漏源电压	60 V
	最大漏源电阻值	0.018 Ω
	最大连续漏极电流	50 A
	最高工作温度	+175 °C
	每片芯片元件数目	1
	类别	功率 MOSFET
	通道模式	增强
	通道类型	N
	配置	单
	长度	10.4mm
	高度	9.15mm

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