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STMicroelectronics - STP11NM60N - MOSFET,N沟道,600V,10A,TO220 - STP11NM60N
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STP11NM60N|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STP11NM60N
制造商型号: STP11NM60N
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,600V,10A,TO220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间50 ns
典型接通延迟时间16 ns
典型栅极电荷@Vgs30 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds850 pF V @ 50
安装类型通孔
宽度4.6mm
封装类型TO-220
尺寸10.4 x 4.6 x 15.75mm
引脚数目3
最大功率耗散90 W
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.45 Ω
最大连续漏极电流10 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.4mm
高度15.75mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STP11NM60N
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