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| STL18NM60N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STL18NM60N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V 0.2 60 Ohm 6 A MDmesh II RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STL18NM60N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin Power Flat T/R - Tape and Reel (Alt: STL18NM60N) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STL18NM60N [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 650 V 12 A 310 mOhm MDmesh II Power Mosfet - PowerFLAT RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| STL18NM60 | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，600V，12A，PowerFLAT5 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 制造商零件编号： STL18NM60N 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0569 | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta），12A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV 型号：STL18NM60N 仓库库存编号：497-11847-1-ND 别名：497-11847-1 <br> |  | 搜索 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF @ 50 V | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 8mm | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 尺寸 | 8 x 8 x 0.95mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.31 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 8mm | |
| 高度 | 0.95mm |
