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STMicroelectronics - STL15DN4F - MOSFET,N沟道,40V,60A,PowerFLAT8 - STL15DN4F
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STL15DN4F5
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STMicroelectronics

MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT

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MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT

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MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT

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MOSFET Dual N-CH 40V 15A STripFET V

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 60A Automotive 8-Pin Power Flat T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat T/R - Tape and Reel (Alt: STL15DN4F5)

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 60A Automotive 8-Pin Power Flat T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 60A Automotive 8-Pin Power Flat T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 60A Automotive 8-Pin Power Flat T/R

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MOSFET,DUAL N CH, 40V, 15A, POWERFLAT

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POWERFLAT 5X6 DOUBLE ISLAND

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STL15DN4F STMicroelectronics MOSFET,N沟道,40V,60A,PowerFLAT8 查看库存、价格及货期
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STMicroelectronics - STL15DN4F5 - MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 60A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)

型号:STL15DN4F5
仓库库存编号:497-10782-1-ND
别名:497-10782-1 <br>

无铅
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STL15DN4F5
STMICROELECTRONICS STL15DN4F5
2098274

STMICROELECTRONICS

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 40 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STL15DN4F5 - STMicroelectronics STripFET 系列 双 N沟道 MOSFET 晶体管 STL15DN4F5, 60 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装

制造商零件编号:
STL15DN4F5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0544
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STL15DN4F5|STMicroelectronicsSTL15DN4F5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 15A POWERFLAT
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无图STL15DN4F
STMicroelectronics
MOSFET,N沟道,40V,60A,PowerFLAT8
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STL15DN4F5|STMicroelectronicsSTL15DN4F5
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MOSFET N-CH 40V 15A POWERFLAT
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MOSFET,N沟道,40V,60A,PowerFLAT8
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STL15DN4F5|STMicroelectronicsSTL15DN4F5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 15A POWERFLAT
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STL15DN4F
制造商型号: STL15DN4F
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,40V,60A,PowerFLAT8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间32 ns
典型接通延迟时间18 ns
典型栅极电荷@Vgs25 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds1550 pF @ 25 V
安装类型表面贴装
宽度5.75mm
封装类型PowerFLAT
尺寸4.75 x 5.75 x 0.85mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散60 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压40 V
最大漏源电阻值9 mΩ
最大连续漏极电流60 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极
长度4.75mm
高度0.85mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STL15DN4F
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